晶控,您身边的晶圆减背专家

根植半导体晶圆片背面处理之细分领域,
提供一站式、精细的减、背、划代工服务;
倾注半导体产业链微薄的有生力量,
为奋进卓越的“中国芯”增效赋能。 

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积淀,20年的真空镀膜技术

镀膜技术的厚积薄发,设备资源高标准选配;
技术团队的的精雕细琢。
汇聚交融,迸发精彩,
成就细分领域最具可靠性的价值选择。

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敬畏心,面向尖端科学技术

拥抱人类智慧的结晶,
仰望未来科技发展的辉光。
脚踏实地,审慎精进,
孜孜不倦,坚实地书写不一样的向往。

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芯技术

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前瞻性,拥抱技术与变化

瞄准半导体行业动态,
探寻技术的更新迭代,
不息为体,日新为道,
把握时代脉膊,做最好的自己。

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用“芯”服务,创造价值

依托长三角区位发展优势,
提供便捷快速的产链服务,
尊重信条,坚守承诺,
追求卓越,赢得价值、尊严和口碑。

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芯服务

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晶圆减薄

晶圆片总厚度约625μm-775μm,薄膜电路层的有效厚度约20-30μm,因此,至少90%的衬底在芯片封装时是冗余的或有缺陷的。实施晶圆背面减薄,不仅能有效改善划片封装环节的效率和良率,更为重要的是能显著降低芯片的热阻,大幅提升芯片的机械性能和电气性能。

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晶圆背金

大部分的器件,Fab厂进行正面电路器件植入后,晶圆将依需要进行背面研磨减薄、酸碱法蚀刻,然后在背面蒸镀金属膜层。处理后的芯片器件热阻、工作散热和冷却、封装操作等实现很大的改善。
采用电子束和热阻蒸发,提供真空蒸镀金属、合金薄膜服务。
金属单质:钛、镍、银、金、铬、铝、铂金、钒等。 合金材料:锡铜、锡锑、金锗、金砷等。
依据器件的应用场景要求,以及客户的设计工艺要求,可以提供不同厚度膜系的真空积淀服务。单层膜系 如:Au、Ag。单层膜系 如:Au、Ag。双层膜系 如:锡-金等。三层膜系 如:钛-镍-银。四层膜系 如:钛-镍-锡-银。多层膜系(共晶)。
专门的可靠性试验,牢牢控制薄膜附着力指标,确保合符质量标准要求!

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晶圆切割

通常在一张晶圆片上有成千上万颗晶粒( die),他们由划片街区连接在一起。一般采用高速旋转的金刚石切割刀片,将每一个具有独立电气性能的晶粒分离出来,他是芯片后续封装的准备。良好的设备性能和切割技术是减少晶粒崩边、分层和剥离的要件,也是芯片信赖性的基础保障。

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背减划一站式服务

提供晶圆背面减薄、背面金属化、切割划片一体化服务,一站式服务。为您降低产品过程流转风险,节省外协作业时间 快速、可靠、省时、省力。
•晶圆背面研磨+抛光
•晶圆背面研磨+切割划片
•晶圆背面研磨+背面金属化+切割划片
•晶圆背面金属化+切割划片

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